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仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的仪器。
仪器采用了电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点
测量范围
电阻率:10-5~105 Ω.cm(可扩展);
方块电阻:10-4~106 Ω/□(可扩展);
电导率:10-5~105 s/cm;
电阻:10-5~105 Ω;
恒流源电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档,各档电流连续可调
数字电压表
量程及表示形式:000.00~199.99mV;
分辨力:10μV;
输入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
显示:四位半红色发光管数字显示;极性、超量程自动显示;
基本指标
间距:1±0.01mm;
针间绝缘电阻:≥1000MΩ;
机械游移率:≤0.3%;
探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
探针压力:5~16 牛顿(总力);